Οι διαστάσεις και γενικότερα οι γεωμετρικές ιδιότητες των νανοδομών που χρησιμοποιούνται σε διάφορες περιοχές της νανοτεχνολογίας επηρεάζουν σημαντικά τη φυσικοχημική συμπεριφορά τους. Κατά συνέπεια η ακριβής μέτρηση τους είναι απαραίτητη για τον έλεγχο των ιδιοτήτων των νανοδομών και την επίτευξη της επιθυμητής συμπεριφοράς τους. Μία από τις πιό συνήθεις μεθόδους εικονισμού των νανοδομών σε μια επιφάνεια είναι οι εικόνες κάτοψης μικροσκοπίου σάρωσης ηλεκτρονικής δέσμης (Scanning Electron Microscope, SEM) στις οποίες τα όρια των δομών απεικονίζονται με ακμές αυξημένης φωτεινότητας.
Η μετάβαση από τον εικονισμό στη μετρολογία των διαστάσεων και της γεωμετρίας των νανοδομών απαιτεί την ακριβή ανίχνευση των ακμών και τον χαρακτηρισμό της γεωμετρίας τους. Αυτός ακριβώς είναι ο σκοπός αυτής της διπλωματικής: η εφαρμογή μεθόδων ανίχνευσης και εντοπισμού ακμών σε εικόνες νανοδομών και ο χαρακτηρισμός της τραχύτητάς τους. Οι νανοδομές που θα μελετηθούν θα χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή στοιχείων νανοτρανζίστορ σε ολοκληρωμένα κυκλώματα. Οι προκλήσεις που πρέπει να αντιμετωπισθούν είναι ο αυξημένος θόρυβος των εικόνων που προέρχεται από την ευασθησία των νανοδομών στην ηλεκτρνική δέσμη του μικροσκοπίου και η υψηλή ακρίβεια που απαιτείται στον χαρακτηρισμό των διαστάσεων και της τραχύτητας των νανοδομών δεδομένης της ευαίσθητης εξάρτησης από αυτές της λειτουργίας και απόδοσης των τρανζίστορ.